IRLML6346TRPBF vs IRLML2803TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6346TRPBF tarafından Infineon ve IRLML2803TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML6346TRPBF IRLML2803TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket Micro3 / SOT-23 Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET IR MOSFET Generation V
MSL Seviyesi 1 1
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (TJ)
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin