IRLML6346TRPBF vs IRLML2803TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML6346TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML2803TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML6346TRPBF IRLML2803TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج Micro3 / SOT-23 Micro3 / SOT-23 (3-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET IR MOSFET Generation V
MSL لیول 1 1
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (TJ)
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں