ISC009N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC009N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC028N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC009N03LF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 43 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 341 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | — |
| Paket | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | 10 V (typical for rated RDS(on)) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |