ISC009N06LM5ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC009N06LM5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC036NE7NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC009N06LM5ATMA1 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 |
| Technology | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 348 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 400 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 214 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Paket | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | ROHS3 Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 2.6 V |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | — | 45 nC |
| Rise Time (tr typ) | — | 13 ns |
| Fall Time (tf typ) | — | 11 ns |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | — | 156 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.8 C/W |