ISC009N06LM5ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC009N06LM5ATMA1 bằng Infineon và BSC036NE7NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
ISC009N06LM5ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC009N06LM5ATMA1 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 |
| Technology | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 348 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 400 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 214 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Hộp | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 2.6 V |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | — | 45 nC |
| Rise Time (tr typ) | — | 13 ns |
| Fall Time (tf typ) | — | 11 ns |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | — | 156 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.8 C/W |