ISC009N06LM5ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC009N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC036NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC009N06LM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC009N06LM5ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 3
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 400 A
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +175C
پیکیج PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RoHS اسٹیٹس Compliant ROHS3 Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 2.6 V
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) — 45 nC
Rise Time (tr typ) — 13 ns
Fall Time (tf typ) — 11 ns
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) — 156 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.8 C/W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں