ISC011N06LM5ATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N06LM5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC034N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC011N06LM5ATMA1 BSC034N06NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Paket PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +150C
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg]
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin