ISC011N06LM5ATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC011N06LM5ATMA1 מאת Infineon ו BSC034N06NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC011N06LM5ATMA1 | BSC034N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | ISC011N06LM5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 288 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 1.15 mOhm | — |
| מארז | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55C to +150C |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 74 W |