ISC011N06LM5ATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N06LM5ATMA1 tarafından Infineon ve IQE004NE1LM7CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC011N06LM5ATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Trench Power MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 15 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Paket PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TTFN-9-3 (surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 7
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) — 58 A
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 379 A
Power Dissipation (TA=25C) — 2.1 W
Power Dissipation (TC=25C) — 89 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.45 mOhm at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Packaging — Tape & Reel (CGATMA1 suffix)
Polarization — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin