ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUC120N06S5N032ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N06NM5ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5N032ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC015N06NM5ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Paket PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55C to +175C (Tj)
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS-5 N-Channel
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 94 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 47 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Pin Sayısı — 8
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Gate Resistance (Rg) — [DATA_NEEDED: Rg]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin