ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC015N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC028N03LF2SATMA1 | ISC015N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | 43 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | 214 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | 1.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 125 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |