ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC030N12NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC030N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC028N03LF2SATMA1 | ISC030N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 194 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 3.4 mOhm @ VGS=10 V |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 3.0 mOhm @ VGS=10 V |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | — | 250 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full RDS(on)) |
| Configuration | — | Single N-channel, source-down |
| Packaging (suffix) | — | Tape & Reel (ATMA1) |
| RoHS | — | Compliant |