ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC030N12NM6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC028N03LF2SATMA1 توسط Infineon و ISC030N12NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC028N03LF2SATMA1 | ISC030N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +175 C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 194 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 21 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 3.4 mOhm @ VGS=10 V |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 3.0 mOhm @ VGS=10 V |
| اتلاف توان (TC=25°C) | — | 250 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| دمای کاری | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full RDS(on)) |
| Configuration | — | Single N-channel, source-down |
| Packaging (suffix) | — | Tape & Reel (ATMA1) |
| RoHS | — | Compliant |