ISC033N03LF2SATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC033N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC151N08NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC033N03LF2SATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| MPN | ISC033N03LF2SATMA1 | — |
| Part Family | OptiMOS LF2 (<= 40V) | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS trench (<= 40V) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 108 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 22 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) max | 3.3 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | 3.5 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 71 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Junction Temperature (TJ) max | [DATA_NEEDED: junction temperature max] | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |