ISC033N03LF2SATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC033N03LF2SATMA1 द्वारा Infineon और ISC151N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC033N03LF2SATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| MPN | ISC033N03LF2SATMA1 | — |
| Part Family | OptiMOS LF2 (<= 40V) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS trench (<= 40V) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 108 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 22 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) max | 3.3 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | 3.5 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 71 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Junction Temperature (TJ) max | [DATA_NEEDED: junction temperature max] | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| पिन की संख्या | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 °C to +175 °C |