ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC037N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC100N10S5L054ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC037N12NM6ATMA1 | IAUC100N10S5L054ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Paket | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-TDSON-8-34 (surface mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55°C to +175°C |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 (IAUC automotive family) |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) | — | [DATA_NEEDED: max V_GS value] |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 101 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 130 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 5.4 mΩ |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |