ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC037N12NM6ATMA1 توسط Infineon و IAUC100N10S5L054ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC037N12NM6ATMA1 | IAUC100N10S5L054ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-TDSON-8-34 (surface mount) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C (junction) | -55°C to +175°C |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 (IAUC automotive family) |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) | — | [DATA_NEEDED: max V_GS value] |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 101 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 130 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 5.4 mΩ |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |