ISC056N08NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC056N08NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC151N08NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC056N08NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | ISC056N08NM6ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 15.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 88 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 100 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) | PG-TDSON-8 FL |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |