ISC056N08NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC056N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC056N08NM6ATMA1 ISC056N08NM6ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

ISC056N08NM6ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

ISC056N08NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC056N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC056N08NM6ATMA1 —
Series OptiMOS 6 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 88 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 100 W —
پیکیج PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) PG-TDSON-8 FL
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
پنز کی تعداد — 8
Channel Mode — Enhancement
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں