ISC058N04NM5ATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC058N04NM5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC054N04NSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC058N04NM5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +150C
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu — Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin