ISC0805NLSATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC0805NLSATMA1 tarafından Infineon ve ISC009N06LM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC0805NLSATMA1 ISC009N06LM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 71 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 74 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] 0.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.3 V —
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V 16 nC —
Input Capacitance Ciss 2.2 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 23 pF —
Output Capacitance Coss 360 pF —
Paket PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55 C to +175 C
RoHS Durumu Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5
Technology — OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 41 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 348 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical]
Power Dissipation at Ta (PD) — 3 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 214 W
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin