ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC080N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S7N021ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC080N10NM6ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
Paket PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) AEC-Q101 (Automotive)
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin