ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISC080N10NM6ATMA1 توسط Infineon و IAUCN10S7N021ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISC080N10NM6ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
بسته‌بندی PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) AEC-Q101 (Automotive)
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت