ISZ019N03L5SATMA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ019N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve ISK057N04LM6ATSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ019N03L5SATMA1 ISK057N04LM6ATSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2.3 V (typ)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V 870 pF
Paket PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (TJ max) -55C to +150C
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 64 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 39.1 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 8.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 12 nC
Output Capacitance (Coss) — 290 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF
RoHS Durumu — Compliant
Technology — OptiMOS 6 Trench

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin