ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC009N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISC009N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | 2.35 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS™ trench |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 43 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 341 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.9 mΩ |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | 10 V (typical for rated RDS(on)) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |