ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC052N03LF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ056N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC052N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ056N03LF2SATMA1 ISC052N03LF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series StrongIRFET 2 OptiMOS 5 30V
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55°C to +150°C
Paket PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8-62 (TDSON EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 74 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.2 mΩ
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 52 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Polarity — N-Channel
Pin Sayısı — 8
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin