ISZ072N06NM6ATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ072N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQE018N06NM6CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ072N06NM6ATMA1 | IQE018N06NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | OptiMOS 6 60V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Paket | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55C to +175C (junction) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 178 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 25 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.3 V (logic-level compatible) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |