K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BCTD Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BCTD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $8,53 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organizasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Paket | 78-pin FBGA | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| Veri Hızı | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | 2666 Mbps |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| Die Revision | — | B-die |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| Özellikler | — | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |