K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646Q Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BMK0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646Q tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BMK0 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40°C to 95°C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Paket | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| Veri Hızı | 1600 Mbps | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bits |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35V |
| Die | — | Q-die |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS Gecikme | — | Programmable |