K4B4G1646D-BPH90 vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BPH90 tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BPH90 MT41K256M16HA-125
Marka Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $6,36
Bellek Türü DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Organizasyon 32M x 16 —
Number of Banks 8 —
Veri Hızı 2133 Mb/s per pin —
Besleme Gerilimi 1.35V (DDR3L) 1.35 V
Paket 96FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
İşletim Sıcaklığı 0°C to +85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Gecikme Programmable up to 14 11
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes —
RoHS Compliant Yes —
Bellek Boyutu — 4Gbit (256M x 16)
Veri Bus Genişliği — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Pin Sayısı — 96
Montaj Türü — Surface Mount
RoHS Durumu — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin