K4B4G1646D-BPH90 vs MT41K256M16HA-125 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BPH90 מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16HA-125 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 ✓ פעיל
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4B4G1646D-BPH90 MT41K256M16HA-125
מותג Samsung Electronics Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $6.36
סוג זיכרון DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
ארגון 32M x 16 —
Number of Banks 8 —
קצב נתונים 2133 Mb/s per pin —
מתח אספקה 1.35V (DDR3L) 1.35 V
מארז 96FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
טמפרטורת פעולה 0°C to +85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
השהיית CAS Programmable up to 14 11
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Lead-Free Yes Yes
נטול הלוגנים Yes —
RoHS Compliant Yes —
גודל זיכרון — 4Gbit (256M x 16)
רוחב אפיק נתונים — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
מספר פינים — 96
סוג הרכבה — Surface Mount
סטטוס RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר