K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BMK0 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646Q tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BMK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646Q K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646Q K4B4G1646D-BMK0
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Veri Bus Genişliği 16 bits —
Besleme Gerilimi 1.35V —
Veri Hızı 1866 Mbps (PC3-14900) 1600 Mbps
Paket 96-ball FBGA 96FBGA (TFBGA)
Die Q-die —
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
CAS Gecikme Programmable —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: Operating temperature range] -40°C to 95°C
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
Die Version — D-die
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin