K4RAH086VE-BCWM vs PDRQLAKCDF12-00 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH086VE-BCWM tarafından Samsung Electronics ve PDRQLAKCDF12-00 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ Aktif
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RAH086VE-BCWM PDRQLAKCDF12-00
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $7,60 —
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
Organizasyon 2G x 8 1G x 16
Veri Hızı 5600 Mbps 7200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Paket 82-ball FBGA 102-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Generation DDR5 DDR5 (improved from 6400 Mbps generation)
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] [DATA_NEEDED: CAS latency]
VDDQ Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Yaşam Döngüsü Durumu Mass Production —
Manufacturer Samsung Electronics —
Speed Bin — DDR5-7200
Operating Voltage — 1.1 V
Arayüz — JEDEC DDR5
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]
tCK / Cycle Time — [DATA_NEEDED: clock cycle time]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin