K9XXG08UXM vs K9LCG08U1M Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K9XXG08UXM tarafından Samsung Electronics ve K9LCG08U1M tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K9XXG08UXM | K9LCG08U1M |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Flash |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Obsolete | Aktif |
| Bellek Boyutu | 2G x 8 Bit (2Gb) | — |
| Memory Cell Array Organization | (1G + 32M) bit x 8 bit | — |
| Data Register | (2K + 64) bit x 8 bit | — |
| Besleme Gerilimi | 2.7 V to 3.6 V | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| Page Size | (2K + 64) Byte | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | (256K + 8K) Byte | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program Operation | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte | — |
| Erase Operation | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte | — |
| I/O Interface | 8-bit multiplexed address/data/command | — |
| Control Signals | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B | — |
| Cell Type | SLC (single-level cell) NAND | MLC (2 bits per cell) |
| Paket | 48-pin TSOP | BGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time (tR) | [DATA_NEEDED: Access Time] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Bellek Türü | — | NAND Flash, MLC |
| Density | — | 64 Gbit (8 GB) |
| Organizasyon | — | x8 I/O |
| Arayüz | — | Asynchronous multiplexed NAND I/O |
| Page Read Time | — | [DATA_NEEDED: page read time] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Ordering Codes | — | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB |