L9779-TR vs L9779WDM-TR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma L9779-TR tarafından STMicroelectronics ve L9779WDM-TR tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre L9779-TR L9779WDM-TR
Marka STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategori Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Çıkış Türü Fixed Low-Side Open-Drain
Output Voltage 1 5 V —
Output Voltage 2 3.3 V —
Maximum Output Current 1 400 mA —
Maximum Output Current 2 100 mA —
Giriş电压范围 5.5 V to 18 V —
Düşüş电压 0.5 V at 400 mA —
Output Voltage Accuracy ±2% —
Quiescent Current (standby) 50 µA —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40°C to +150°C -40C to +150C
Paket PowerSO-20 SOIC-20 (SO-20)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Jantten Ortama Termal Direnç 35 °C/W —
Protection Features Overcurrent, Thermal Shutdown, Reverse Polarity Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit
RoHS Durumu Compliant Compliant
Number of Channels — 4
Supply Voltage Range — 4.5 V to 40 V
Maximum Output Current per Channel — 1 A
On-Resistance (Typical) — 0.5 ohm
Durağan Akım — 10 uA (standby)
PWM Frequency — Up to 20 kHz
Arayüz — SPI
MSL Seviyesi — 3 (168 hours)
AEC-Q100 — Qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin