M29F200FT55M3F2 vs M29F800FB55M3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F200FT55M3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FB55M3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F200FT55M3F2 M29F800FB55M3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 8389 kbits (8 Mbit)
Organizasyon 256K x 8 / 128K x 16 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Paket 44-pin SO (TSOP) 44-pin SO (SOIC-44)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Arayüz — Parallel, Asynchronous
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin