M29F200FT55M3F2 vs M29F800FB55M3F2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F200FT55M3F2 מאת Micron Technology ו M29F800FB55M3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F200FT55M3F2 M29F800FB55M3F2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 8389 kbits (8 Mbit)
ארגון 256K x 8 / 128K x 16 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
מארז 44-pin SO (TSOP) 44-pin SO (SOIC-44)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Boot Block Type — Bottom Boot Block
ממשק — Parallel, Asynchronous
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר