M29W160EB80ZA3SE vs M29W800FT70ZA3SE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W160EB80ZA3SE tarafından Micron Technology ve M29W800FT70ZA3SE tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded
M29W800FT70ZA3SE ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | M29W160EB80ZA3SE | M29W800FT70ZA3SE |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | EEPROM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Bellek Boyutu | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 8 Mbit |
| Access Time | 80 ns | 70 ns |
| Arayüz | Parallel (Byte-wide / Word-wide) | Parallel |
| Besleme Gerilimi | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Organizasyon | 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable | 512K x 16 |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Paket | 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) | 48-TFBGA (6x8 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Qualification | AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) | — |
| Programming Supply | Single 3V supply for program, erase and read | — |
| Technology Family | M29W160EB (3rd generation M29W series) | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Erase Block Architecture | Boot block (parameter and main blocks) | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | [DATA_NEEDED: endurance] |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS Durumu | Pb-free (SE suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Technology | — | SLC |
| Programming Interface | — | CFI command set |
| Boot Block Architecture | — | Top boot (FT = top boot block) |
| Density | — | 8 Mb |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA code] |
| Chipset Validation | — | N/A |