M29W160EB80ZA3SE vs M29W800FT70ZA3SE مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W160EB80ZA3SE توسط Micron Technology و M29W800FT70ZA3SE توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ فعال
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W160EB80ZA3SE M29W800FT70ZA3SE
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
اندازه حافظه 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 8 Mbit
Access Time 80 ns 70 ns
رابط Parallel (Byte-wide / Word-wide) Parallel
ولتاژ تغذیه 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
سازمان 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable 512K x 16
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
بسته‌بندی 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) 48-TFBGA (6x8 mm)
نوع نصب Surface Mount (BGA) Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Qualification AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) —
Programming Supply Single 3V supply for program, erase and read —
Technology Family M29W160EB (3rd generation M29W series) —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Erase Block Architecture Boot block (parameter and main blocks) —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] [DATA_NEEDED: endurance]
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
وضعیت RoHS Pb-free (SE suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Technology — SLC
Programming Interface — CFI command set
Boot Block Architecture — Top boot (FT = top boot block)
Density — 8 Mb
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت