MT40A256M16GE-075E:B vs K4A8G165WB-BCPB Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A256M16GE-075E:B tarafından Micron Technology ve K4A8G165WB-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MT40A256M16GE-075E:B | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $3,95 | — |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Veri Hızı | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2133 Mbps |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| Paket | 96-FBGA (9 x 14 mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | 0C to +85C |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Arayüz | — | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| RoHS Durumu | — | Compliant (per Lisleapex listing) |