MT40A256M16GE-075E:B vs K4A8G165WB-BCPB So sánh

So sánh chi tiết song song của MT40A256M16GE-075E:B bằng Micron Technology và K4A8G165WB-BCPB bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MT40A256M16GE-075E:B K4A8G165WB-BCPB
Thương hiệu Micron Technology Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $3,95 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gbit —
Tổ chức 256M x 16 512M x 16
Memory Interface Parallel —
Clock Frequency 1.33 GHz —
Tốc độ dữ liệu 2666 MT/s (DDR4-2666) 2133 Mbps
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
Internal Banks 16 —
Refresh 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C [DATA_NEEDED: refresh specification]
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable generation —
Special Features Temperature controlled refresh (TCR) —
Hộp 96-FBGA (9 x 14 mm) 96FBGA (TFBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] 0C to +85C
Access Time [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] —
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — Rectangular, bottom terminal position
Die Generation — 8Gb B-die
Giao diện — DDR4 (synchronous, double data rate)
Bank Groups — DDR4 bank-group architecture
Trạng thái RoHS — Compliant (per Lisleapex listing)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá