MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63CFR-PBL Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16RE-125:D tarafından Micron Technology ve H5TC4G63CFR-PBL tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V |
| Veri Hızı | 1600 MT/s | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| CAS Gecikme | 11 | 11, 12, 13 |
| Paket | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | 8 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Bellek Boyutu | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| Klorürsüz | — | Yes |