MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63CFR-PBL مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16RE-125:D توسط Micron Technology و H5TC4G63CFR-PBL توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| نرخ داده | 1600 MT/s | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| تأخیر CAS | 11 | 11, 12, 13 |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| دمای کاری | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | 8 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| اندازه حافظه | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| بدون هالوژن | — | Yes |