MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63CFR-PBL موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16RE-125:D بذریعہ Micron Technology اور H5TC4G63CFR-PBL بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT41K256M16RE-125:D H5TC4G63CFR-PBL
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
تنظیم 256M x 16 —
سپلائی وولٹیج 1.35 V 1.35 V
ڈیٹا ریٹ 1600 MT/s 1600 Mbps (PC3L-12800)
CAS لیٹنسی 11 11, 12, 13
پیکیج FBGA-96 (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C (TC) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Burst Length 8, 4 8
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
Ball Pitch 0.8 mm —
میموری سائز — 4 Gb (256M x 16)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Number of Banks — 8
Refresh Period — 7.8 us at 85C
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں