2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2304S06FXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2ED21064S06JXUMA1 بذریعہ Infineon اور 2ED2304S06FXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2ED21064S06JXUMA1 2ED2304S06FXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) —
ٹوپولوجی High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated (BSD)
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C —
پیکیج PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 2
RoHS اسٹیٹس ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Technology — Infineon thin-film SOI
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40C to +125C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں