2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2304S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED21064S06JXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2304S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED21064S06JXUMA1 2ED2304S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) —
البنية الطوبولوجية High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated (BSD)
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 2
حالة RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Technology — Infineon thin-film SOI
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر