AIMBG120R010M1XTMA1 vs IMLT65R040M2HXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AIMBG120R010M1XTMA1 بذریعہ Infineon اور IMLT65R040M2HXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
AIMBG120R010M1XTMA1 AIMBG120R010M1XTMA1 - 1200V 205A 8.7mΩ SiC MOSFET | Infineon

AIMBG120R010M1XTMA1 - 1200V 205A 8.7mΩ SiC MOSFET | Infineon

AIMBG120R010M1XTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر AIMBG120R010M1XTMA1 IMLT65R040M2HXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ G1 Automotive SiC Trench MOSFET CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench)
Technology Silicon Carbide (SiC) Trench MOSFET Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 1200 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 205 A —
On-Resistance RDS(on), typ 8.7 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 882 W —
پیکیج PG-TO263-7 (TO-263-7 / D2PAK-7) surface mount PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C -55 °C to +150 °C
Automotive Qualification AEC-Q101 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 7 + Tab —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] —
Continuous Drain Current (ID, TC) — 57 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 143 A
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) — 40 mΩ
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) — 49 mΩ
Total Gate Charge QG — 28 nC
Output Charge QOSS @ 400 V — 53 nC
Output Energy EOSS @ 400 V — 7.2 µJ
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) — 268 W
Recommended Gate Drive Voltage VGS — 18 V (turn-off: 0 V or negative)
Qualification — JEDEC industrial
Packaging — Tape & Reel
Special Features — Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں