BSC010N04LSATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC010N04LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC010N04LSATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/- 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 38 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.0 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) Test Condition | VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | 2 V | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 139 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Avalanche Rated | 100% avalanche tested | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C (junction) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |