BSC010N04LSATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC010N04LSATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC010N04LSATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 38 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.0 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Test Condition VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ 2 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (Tc=25C) 139 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 1 (per Infineon SuperSO8 family)
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
پیکیج / کیس — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
پن کی تعداد — 8
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں