BSC011N03LSATMA1 vs IPL60R065P7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC011N03LSATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R065P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC011N03LSATMA1 IPL60R065P7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel Single N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>)
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology Family — CoolMOS™ P7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) — 41 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 65 mΩ (max)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) — 201 W
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.5 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) — 2895 pF
Rise Time (t<sub>r</sub>) — 7 ns
Fall Time (t<sub>f</sub>) — 4 ns
پنز کی تعداد — 4
Channel Type — N-Channel
Drain to Source Voltage — 650 V (rating per AiEMA spec)
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) — 0.053 Ω
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں